【BSZ16DN25NS3 G/规格参数】厂家_BSZ16DN25NS3 G中文资料_价格

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型号： BSZ16DN25NS3 G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BSZ16DN25NS3 G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ16DN25NS3 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供BSZ16DN25NS3 G价格参考以及InfineonBSZ16DN25NS3 G封装/规格参数等产品信息。你可以下载BSZ16DN25NS3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSZ16DN25NS3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSONMOSFET N-CH 250V 10.9A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	10.9 A
Id-连续漏极电流	10.9 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ16DN25NS3 GOptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b
产品型号	BSZ16DN25NS3 G
Pd-PowerDissipation	62.5 W
Pd-功率耗散	62.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	146 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	146 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	250 V
Vds-漏源极击穿电压	250 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 32µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	920pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	11.4nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	165 毫欧 @ 5.5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	-
其它名称	BSZ16DN25NS3G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GTR SP000781800
功率-最大值	62.5W
包装	带卷（TR）
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	146 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerTDFN
封装/箱体	TDSON-8
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	5,000
正向跨导-最小值	14 S, 7 S
汲极/源极击穿电压	250 V
漏极连续电流	10.9 A
漏源极电压(Vdss)	250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10.9A （Tc）
系列	BSZ16DN25
零件号别名	BSZ16DN25NS3GATMA1 SP000781800